另一方面，次世代内存也具有超高耐费用的，所以无论是对情况温度的容忍范围或者存取的次数，都能远远跨越今朝的解决筹划，是以这些新的嵌入式内存技巧就更应用在特定的市场。

以RRAM为例，欧洲研究机构爱美科(Imec)几年前就已经揭橥了10nm制程的技巧，冲破了今朝NAND Flash的极限。 近期MRAM技巧也宣布其制程可以达到10nm，甚至以下。

不过次世代嵌入式内存SoC芯片的制程异常艰苦，不仅整合难度高，芯片的良率也是一个门坎，今朝包含台积电、联电、三星、格罗方德(Globalfoundries)与英特尔等，都投入大年夜量的人力在相干临盆技巧研发上。

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【义务编辑：武晓燕 TEL：（010）68476606】

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