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【51CTO.com原创稿件】作为业界领先的半导体厂商，英特尔绝对是行业的霸主。不过，跟着技巧的成长，英特尔提出的Tick-Tock策略在近几年来已经开端出现了一些变更。此外，其领先的工艺制程技巧也开端逐渐被竞争敌手超出，特别是台积电推出了7nm之后，一向对半导体工艺有着高度自负的英特尔，终于坐不住了。
本次英特尔精尖制造日是英特尔全球范围内组织的第二次大年夜型晃荡，也是初次在中国举办如许的大年夜型晃荡。之所以将本次晃荡的地点选择在了中国，笔者认为英特尔已经看到了中国市场的机会，而中国市场将成为了各大年夜芯片巨擘以及晶圆代工巨擘最为看重的市场。
本周二，英特尔在精尖制造日上正式宣布了10nm制程技巧，并宣布将会在本年第四时度投产，以高调的姿势，正式向业界回应了摩尔定律已经掉效的质疑。
英特尔精尖制造日初次进入中国
英特尔公司技巧与制造事业部副总裁、晶圆代工营业联席总经理Zane Ball表示，高端晶圆代工市场范围赓续攀升，2016年达到230亿美元，而来自中国的花费达到了58.5%，但中国无圆晶厂[w1] 全球占比为25%，英特尔认为中国半导体范畴拥有巨大年夜的机会。
根据全球芯片设备行业协会SEMI的估算，本年中国在晶圆代工厂范畴的┞符体支撑(包含建筑与设备)将增长54%，即竽暌股2016年全年的35亿美元增长至2017年的54亿美元。而到2018年，SEMI方面估计这一数字将进一步增长至86亿美元。市场研究企业Gartner公司同样抱看涨立场，其估计半导体行业本年的发卖总额将增长12.3%，达到3860亿美元。Gartner指出，2016年下半年的积极市场状况有望在2017年与2018年持续保持。
基于如许的机会，英特尔把精尖制造日晃荡搬到了北京，并以词攀来加快了在中国的投产速度。
10nm技巧来了，英特尔高调还击
在半导体系体例造范畴，除了英特尔之外，就剩下三星、台积电和格罗方德这三家了。抛开其他身分，单大年夜工艺制程上来讲，这几年英特尔切实其实已经落后三星与台积电了。
大年夜2017年上半年开端，台积电的10nm产品就已经开端放量增长，本年9月11日，台积电更是结合ARM、Xilinx等公司，正式宣布全球首个基于7nm工艺的芯片，并宣布在2018年正式量产。此外，有消息称台积电5nm的产品也将在2019年进入风险试产阶段。除了台积电，三星电子的进展也要强于英特尔，据悉三星电子将于2017年风险试产8nm LPP制程，2018年将推出7nm，2019年将推出5、6nm制程，2020年投产4nm并导入环绕式闸极架构。AMD本年推出的Ryzen处理器更是应用了由格罗方德供给的的14nm LPP(Low Power Plus低功耗加强版)工艺。可以说，英特尔的竞争敌手们都在发力，但就是没有听到英特尔的任何声音，这也让人们再次对摩尔定律提出了质疑。
本周，英特尔10nm技巧终于宣布了，可见英特尔也等不及了。
本次的精尖制造日大年夜会上，英特尔不只带来了满满的干货，并且此次晃荡更是差别于任何一次英特尔宣布会，高调了太多太多。甚至杨旭还喊出潦攀老虎不二威，你认为是病猫吗?!标语。在现场展台与嘉宾演讲的PPT中，笔者看到了英特尔10nm与三星、台积电同类产品的比较数据，这在以往英特尔任何的宣布会上，是弗成能看到的。
超微缩技巧，周全领先竞争敌手
大年夜演讲嘉宾的PPT中笔者发明，英特尔宣布的10nm芯片在各个节点上逻辑晶体管密度的数量与竞争敌手三星和台积电比拟，都具有明显领先优势。
英特尔公司履行副总裁兼制造、运营与发卖集团总裁Stacy Smith表示，在保持技巧龙头优势上，英特尔的团队大年夜来没有放松过。以在晃荡上宣布的10nm工艺制程技巧为例，英特尔可以或许达到每平方毫米 1 亿晶体数，实现了业内最高的晶体管密度，而台积电为 4800 万，三星为 5160万。
Stacy Smith表示，英特尔的超微缩技巧让英特尔可以或许加快推动晶体密度的晋升。以10nm制程为例，英特尔产品的最小栅极间距大年夜70nm缩小至54nm，且最小金属间距大年夜52nm缩小至36nm。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14nm制程的2.7倍，大年夜约是业界其他10nm制程的2倍。
笔者认为，作为摩尔定律的果断拥戴者，在芯片数量和成本上，英特尔加倍严谨。是以，英特尔才会推敲推迟到如今才宣布10nm芯片。大年夜领先的晶体管密度来看，英特尔10nm无疑更具备成本的优势。Stacy Smith强调，英特尔卖的不是晶体管而是成本。要做到这一点，英特尔要么让晶片的尺寸不变，然后参加更多的机能和功能的晶体管，要么把晶片的尺寸缩小。遵守摩尔定律，就意味着英特尔在降低成本的同时，进步机能、增长功能。成本数据证实，摩尔定律也在推动成本的降低，包管摩尔定律将来持续有效。
除了宣布10nm芯片处，英特尔还在此次大年夜会上初次将14nm和22FFL的FinFET带到了中国市场。Zane Ball表示，对于英特尔而言，如今是一个关键的时光节点，英特尔精晓过代工营业加深与中国伙伴的合作，把基于14纳米和22FFL的FinFET带到中国市场。
据介绍，10nm芯片将于2017岁尾正式投产、2018年上半年进入量产阶段。
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本文标题：领先对手三年，英特尔精尖制造日上正式发布10nm技术
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