这些产品已经问世。镁光(Micron)推出的首款全闪存的NVDIMM已经在产，并且几家(硬件)供给商都在办事器产品中供给该款硬件。当然，其优势在于数据在内存总线上移动时，比在外围组件互连Express(PCIe)上移动的速度要快得多，尽管NVDIMM闪存的速度仍然还要比动态RAM(DRAM)慢一些。
软件定义的存储方才开端形成，然而体系演进的办法已经使得将来技巧的立异越来越受到存眷。
我们并非要在文中商量磁盘存储藏，也不是要评论辩论固态驱动器。存储的将来在于其与内存的融合。跟着非线性双列直插式存储器模块(nonvolatile dual in-line memory modules, NVDIMM)的惹人，体系内存在变得越来越复杂的同时，也将内存的速度与存储的持久质量浇忧⒔了一路。
有些情况下，例如在军事体系或金融办事方面，对内存持久性需求更高。Viking Technology公司创建的NVDIMM的一种版本，个中包含了大年夜量与闪存匹配的DRAM空间。当体系接通电源时，用户可以选择将数据大年夜闪存加载到响应的DRAM之中。如不雅电源封闭或机械停止，DRAM的数据将会被备份到闪存之上。
Viking办法的长处是体系可以应用CPU存放器-存储器敕令将数据写入DRAM。这许可单字节的写入操作，而不是传统存储操作中应用的4KB文件情势的I/O区块和全闪存型NVDIMM。这种字节模式I/O比区块拜访闪存快了数千倍。支撑此功能的软件异常复杂，不仅涉及操作体系更改以处理异常，还涉及编译器扩大。因为这种类型的I/O不应用标准块办法，所以应用法度榜样须要修改。
闪存的替代品，如英特尔和镁光3D XPoint产品，惠普企业和SanDisk的Memristor产品，以及索尼和Viking科技的ReRAM将提赶过久性和非持久性内存区段之间的速度比。即使如斯，它们的速度仍然比现今的DRAM慢得多。
接收这些技巧的关键是应用法度榜样须要将其视为DRAM类型的可写寻址空间或块I/O驱动器。做不到这一点，额外的速度是在应用软件开销中浪费掉落的。
跟着软件变更的出现，我们可以等待看到混淆办法在实际中的应用。最有可能的是，数据库体系将成为第一批实例，个中所有的更改都由数据库供给商实现，为最终用户供给一个透明的平台。
事实上，这些都是须要多家公司合营尽力，以克服将这些尖端技巧推向市场号绫擎对的挑衅和复杂性，是以不要指望这些产品2017岁尾或2018岁首?年代就可以应用。
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本文标题：模糊的边界：内存和存储以全新方式融合
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