图5：储存单位(带Vt)的储存电压比较

结论

图3：内含2种储存单位的实体构造差别

差动式储存阵列的存取电路很轻易经由习认为知的电路来实现，然而，单端式储存阵列的存取特点对于数据接收器的设计是一重大年夜的考验，由此可推知1T1C DRAM单位在出现以来就是应用差动放大年夜器来攫取数据。本文对于DRAM存取技巧的改变而形成了这种单端式储存阵列，乃是基于由三电晶体结合另一电阻器所构成的SRAM单位。简言之，静态减量技巧成，动态存取特点同。在标准的CMOS制程技巧下，当SRAM单位的电晶体数量削减至三颗的时刻就少了些原有的特点，尤其是存取特点的迵异，并且类似于DRAM单位。

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【义务编辑：武晓燕 TEL：（010）68476606】

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本文标题：DRAM核心设计的新旧存取技术差异

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