J Metz
Martin Skagen
然则，NVMe将会见临一场概绫屈，如不雅企业拥有合适的架构，可以大年夜现有的闪存技巧逐渐超出其机能。这不仅仅是应用NVMe闪存调换现有的SATA闪存。对于如安在控制器上处理闪存本身有很大年夜的影响。也许一个或两个传统的供给商可以在那边完成一些工作，但大年夜软件和硬件的角度来看，这是一个价值昂贵的工作。范围较小的新公司将会更好的机会，因为他们大年夜头开端。他们没有任何现有的架构。
IBM存储公司研究察兼副总裁兼首席技巧官Vincent Hsu：厂商将会异常看从新协定来应用闪存的机能优势。业界将有多个协定和接口。而只采取一种技巧将不克不及知足所有的工作负载的需求。NVMe技巧将在2017年加倍普及，并且将来，我们将看到行业开端投资基于NVMe的架构。Open CAPI许可更好地优化以削减延迟。IBM Power Systems几年前开辟了CAPI[相干加快器处理寡居口]，我们正在将其作为开放标准。它确保PCIe总线和处理器是一致的。它在存储层中削减成千上万个指令，并供给低得多的延迟。Open CAPI声称在PCIe接口上具有10倍的机能。
(3)用于企业闪存存储的新内存技巧
戴尔EMC公司的Daniel Cobb：新的内存媒质将开端推广应用，我们终于要懂得Micron和Intel的3D XPoint。它没有DRAM速度那么快，但比NAND快。它可以在数百纳秒的拜访时光内运行。因为其低开销和高机能，这是NVMe架构的优势。这也将为一个成本低廉的内存设备。大年夜概20年以来，计算机工业将会出现更多的新的存储介质。
我们将在2017年停止谈论NVMe和NVMe over Fabrics，痊愈2017年开端发卖产品。戴尔EMC公司全球技巧计谋副总裁Daniel Cobb：我们还将看到来自三星的替代存储媒质，如Z-NAND，这是对3D XPoint的回应，弥补了DRAM与闪存之间的差距。而不是创造一种新型的媒质，三星公司表示实际上可以持续使NAND速度更快。而该公司专注于使NAND成本较低，容量更大年夜，但并没有将其重点放在速度更快上。在技巧上，三星公司的产品令人存眷的，因为任何一家重要的内存代工厂都可能重要致力某个方面，所以他们进行了大年夜量的工作。
惠普企业公司数据中间基本举措措施组织首席技巧官Milan Shetti：持续记忆存储技巧将开端涌如今计算和存储产品中。我们将看到DRAM的情势身分和电池支撑的持久性存储器在以前的磁盘情势身分中的惹人。人们将起首开端采取电池支撑的DIMM[双列直插式内存模块]，跟着不合的持续存储器技巧的成长，人们也将开端采取。类似于花费行业为闪存带来经济效应的工作，物联网行颐魅正在为持久记忆存储而尽力。因为设备中越来越多的传感器须要本地内存，所以我们将看到持久的内存的成本开端变得加倍低廉。这将是一个经久的过程。
NVMe协定可以使客户降低闪存订价。如不雅客户购买了大年夜量闪存，那么大年夜购买阵列的供给商处购买闪存产品可能是有利的。NVMe支撑即插即竽暌姑设备，因为它是一个加倍标准化的芯片组。
思科体系公司首席技巧官办公室存储收集与解决筹划研究开辟工程师J Metz：持久性内存/存储级内存的进步将改变应用法度榜样和操作体系若何与存储进行交互的本质。分层解决筹划将崩溃。如今的一级存储将是零级，二级存储将成为归档。延迟和寂?婵颈的变更将改变数据拜访的方法以及处理所需的时光。因为增长了延迟和基本举措措施的扩大，一些体系(如一些缓存机制)将被完全删除。
NetApp公司首席技巧官Mark Bregman：大年夜长远来看，我们看到了下一代存储级内存技巧的介绍。第一波将在存储设备中应用新的高机能的持久存储器。然则越来越少的来由把它包装成类似于存储的器械。我想我们将看到新的体系架构出现，这可能看起来像一个异常大年夜的持久内存的体系，而不是附加在存储器上的较小内存。所以我们将开端看到具有大年夜量持久性内存的新体系技巧的成长。然后，与今晒台论的高机能二级或一级的存储比拟，附加存储的需求将不合于存档。但这并不会在2017年产生。在将来一年内，我们可能会看到新公司推出新架构。这将是这一波技巧海潮的前沿。
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本文标题：2017年企业闪存存储技术将加速发展
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